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了解雜質(zhì)濃度測試儀的原理

發(fā)布時間: 2016-08-18  點擊次數(shù): 758次

雜質(zhì)濃度測試儀

產(chǎn)品型號: KDB-1A

產(chǎn)品簡介 
原理:根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質(zhì)濃度的關(guān)系,可直接測量、計算出晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度。  
范圍:它適合于測量橫截面尺寸是可測量的,而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒,例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。  
用途:根據(jù)測量沿錠長雜質(zhì)濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分,通過雜質(zhì)濃度的直接測量,決定晶體生長過程中的摻雜數(shù)量。  
樣品可在常溫或低溫下測量。  
顯示方式:儀器連接PC機(jī),通過測試軟件計算,用對數(shù)坐標(biāo)的方式來顯示雜質(zhì)濃度(含次方數(shù))沿錠長的分布曲線,可對曲線圖進(jìn)行打印和保存。  
測量范圍: 可測晶體電阻率:0.005-3000Ω·cm。  
直流數(shù)字電壓表測量范圍:0-199.99mV,靈敏度:10μA。 

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